画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDG361N - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDG361N
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDG361N
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
- 詳細な説明
- パッケージ
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- データシート
- FDG361N.pdf
- 在庫あり: 4600
FDG361Nの技術仕様
onsemi - FDG361N技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDG361N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-88 (SC-70-6) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 500mOhm @ 600mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 420mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 153 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 600mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDG361 |
右側の三つのパーツはonsemi FDG361Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDG361N | FDG330P | FDG332PZ | FDG361N |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | FDG361 | - | FDG332 | - |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 153 pF @ 50 V | 477 pF @ 6 V | 560 pF @ 10 V | 153 pF @ 50 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | - | 1.8V, 4.5V | 6V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 600mA (Ta) | 2A (Ta) | 2.6A (Ta) | 600mA (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±8V | ±8V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 12 V | 20 V | 100 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 500mOhm @ 600mA, 10V | 110mOhm @ 2A, 4.5V | 95mOhm @ 2.6A, 4.5V | 500mOhm @ 600mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 420mW (Ta) | 480mW (Ta) | 750mW (Ta) | 420mW (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5 nC @ 10 V | 7 nC @ 4.5 V | 10.8 nC @ 4.5 V | 5 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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FDG330PonsemiSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDG332PZonsemiMOSFET P-CH 20V 2.6A SC88FDG6301N-F085onsemiMOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6FDG361NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 600MA SC88FDG410NZonsemiMOSFET N-CH 20V 2.2A SC88FDG330P MOSFairchild (onsemi)FDG6301N MOSFairchild (onsemi)FDG6301N-F085PonsemiDUAL NMOS SC70-6 25V 4OHMFDG329NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 1.5A SC88FDG361N MOSFairchild (onsemi)
FDG6301SKFDG328P-NLFairchild (onsemi)FDG6301NonsemiMOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6FDG329N MOSFairchild (onsemi)FDG328P MOSFairchild (onsemi)FDG330PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 12V 2A SC88FDG410NZ MOSFairchild (onsemi)FDG329NonsemiMOSFET N-CH 20V 1.5A SC88| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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