FDFME3N311ZTの技術仕様
onsemi - FDFME3N311ZT技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDFME3N311ZT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-UMLP (1.6x1.6) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 299mOhm @ 1.6A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 600mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 75 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.8A (Ta) |
右側の三つのパーツはonsemi FDFME3N311ZTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDFME3N311ZT | FDFMA3P029Z | FDFMA2P857 | FDFS2P753Z |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| FET特長 | - | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.8A (Ta) | 3.3A (Ta) | 3A (Ta) | 3A (Ta) |
| Vgs（最大） | ±12V | - | ±8V | ±25V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 10 V | 6 nC @ 4.5 V | 9.3 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-UMLP (1.6x1.6) | 6-MLP (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | 8-SOIC |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 75 pF @ 15 V | 435 pF @ 15 V | 435 pF @ 10 V | 455 pF @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 600mW (Ta) | 1.4W (Ta) | 1.4W (Ta) | 1.6W (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 299mOhm @ 1.6A, 4.5V | 87mOhm @ 3.3A, 10V | 120mOhm @ 3A, 4.5V | 115mOhm @ 3A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 20 V | 30 V |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
FDFMA3P029ZFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFETFDFMA2P857 MOSFairchild (onsemi)FDFMA2P857onsemiMOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFETFDFS2P753ZonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDFS2P102onsemiMOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOICFDFME3N311ZTFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.8A 6UMLPFDFS2P102Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOICFDFS2P102AFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOICFDFS2P103AonsemiMOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOICFDFMA3N109Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDFMA3N109onsemiMOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFETFDFS2P106AonsemiMOSFET P-CH 60V 3A 8SOICFDFMA3W109Fairchild (onsemi)FDFMA2P853_NLFairchild (onsemi)FDFS2P103AFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOICFDFS2P102AonsemiMOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOICFDFMA3P029ZonsemiMOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFETFDFMA2P853 MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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