FDFMA2P029Zの技術仕様
onsemi - FDFMA2P029Z技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDFMA2P029Z仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Tj) | |
| パッケージ/ケース | 6-VDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 720 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDFMA2 |
右側の三つのパーツはonsemi FDFMA2P029Zと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDFMA2P029Z | FDFMA3N109 | FDFM2P110 | FDFMA2N028Z |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 6-VDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | MicroFET 3x3mm | 6-MicroFET (2x2) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | 3 nC @ 4.5 V | 4 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V | 123mOhm @ 2.9A, 4.5V | 140mOhm @ 3.5A, 4.5V | 68mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Tj) | 1.5W (Ta) | 2W (Ta) | 1.4W (Tj) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 720 pF @ 10 V | 220 pF @ 15 V | 280 pF @ 10 V | 455 pF @ 10 V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 基本製品番号 | FDFMA2 | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 30 V | 20 V | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A (Ta) | 2.9A (Tc) | 3.5A (Ta) | 3.7A (Ta) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FDFMA2P029Z - onsemiのFDFMA2P029Z PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
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FDFMA3P029ZonsemiMOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFETFDFM2N111Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
FDFM2N111onsemiMOSFET N-CH 20V 4A MICROFETFDFMA2P853Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFETFDFM2N111 MOSFairchild (onsemi)FDFMA2P853onsemiMOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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