FDD8778の技術仕様
onsemi - FDD8778技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDD8778仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 35A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 39W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 845 pF @ 13 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDD877 |
右側の三つのパーツはonsemi FDD8778と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD8778 | FDD86581-F085 | FDD8750 | FDD8796 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 845 pF @ 13 V | 880 pF @ 30 V | 425 pF @ 13 V | 2610 pF @ 13 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | D-PAK (TO-252) | TO-252AA | TO-252AA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) | 25A (Tc) | 6.5A (Ta), 2.7A (Tc) | 35A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 35A, 10V | 15mOhm @ 25A, 10V | 40mOhm @ 2.7A, 10V | 5.7mOhm @ 35A, 10V |
| 基本製品番号 | FDD877 | FDD86581 | FDD875 | FDD879 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 9 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| シリーズ | PowerTrench® | - | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 電力消費（最大） | 39W (Tc) | 48.4W (Tj) | 3.7W (Ta), 18W (Tc) | 88W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 60 V | 25 V | 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
FDD8778 - onsemiのFDD8778 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDD8778 MOSFairchild (onsemi)FDD86581-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 25A DPAKFDD8750onsemiMOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAKFDD8796onsemiMOSFET N-CH 25V 35A TO252AAFDD8782Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD8780 MOSFairchild (onsemi)FDD8770onsemiMOSFET N-CH 25V 35A TO252AAFDD8770 MOSFairchild (onsemi)FDD8796Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD8750 MOSFairchild (onsemi)FDD8770Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD8750Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAK
FDD8780onsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD8782 MOSFairchild (onsemi)FDD8778Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD8782onsemiMOSFET N-CH 25V 35A TO252AAFDD86581Fairchild (onsemi)FDD8780Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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