FDD86580-F085の技術仕様
onsemi - FDD86580-F085技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDD86580-F085仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 75W (Tj) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1430 pF @ 30 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDD86580 |
右側の三つのパーツはonsemi FDD86580-F085と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD86580-F085 | FDD86581-F085 | FDD8770 | FDD86567-F085 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 73 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | 25A (Tc) | 35A (Tc) | 100A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDD86580 | FDD86581 | FDD877 | FDD86567 |
| 電力消費（最大） | 75W (Tj) | 48.4W (Tj) | 115W (Tc) | 227W (Tj) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | - | PowerTrench® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1430 pF @ 30 V | 880 pF @ 30 V | 3720 pF @ 13 V | 4950 pF @ 30 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 25 V | 60 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | D-PAK (TO-252) | TO-252AA | TO-252AA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19mOhm @ 50A, 10V | 15mOhm @ 25A, 10V | 4mOhm @ 35A, 10V | 3.2mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
FDD86580-F085 - onsemiのFDD86580-F085 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDD86581-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 25A DPAKFDD8770onsemiMOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
FDD8770 MOSFairchild (onsemi)FDD86567-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 100A DPAKFDD86567Fairchild (onsemi)FDD8647LonsemiMOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAKFDD86569-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 90A DPAKFDD8647LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDD86581Fairchild (onsemi)FDD8750onsemiMOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAKFDD8750Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAKFDD86569Fairchild (onsemi)FDD8770Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD86540onsemiMOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAKFDD86381-F085onsemiMOSFET N-CH 80V 25A DPAKFDD8647L MOSFairchild (onsemi)FDD86580Fairchild (onsemi)FDD8750 MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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