FDC6561ANの技術仕様
onsemi - FDC6561AN技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDC6561AN仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-6 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 2.5A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 700mW | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 220pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2nC @ 5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FDC6561 |
右側の三つのパーツはonsemi FDC6561ANと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDC6561AN | FDC655AN_NL | FDC655BN | FDC658 |
| メーカー | onsemi | Fairchild (onsemi) | Fairchild Semiconductor | MI |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | - | 3V @ 250µA | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 220pF @ 15V | - | 570 pF @ 15 V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A | - | 6.3A (Ta) | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| シリーズ | PowerTrench® | - | PowerTrench® | - |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | - | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2nC @ 5V | - | 15 nC @ 10 V | - |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | - | Bulk | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | - | 30 V | - |
| 電力 - 最大 | 700mW | - | - | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 基本製品番号 | FDC6561 | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-6 | - | SuperSOT™-6 | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 2.5A, 10V | - | 25mOhm @ 6.3A, 10V | - |
FDC6561AN - onsemiのFDC6561AN PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDC655AN_NLFairchild (onsemi)FDC655BNFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC658MI
FDC655BNonsemiMOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6FDC658PonsemiMOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6FDC6561AN-NLFairchild (onsemi)FDC658AP-NLFairchild (onsemi)FDC658APonsemiMOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6FDC658APFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC655B-NLFDC655BN MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC655BN-NLFairchild (onsemi)FDC6561AMI Semiconductor/onsemiFDC658AP MOSFairchild (onsemi)FDC658PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC6561AN MOSFairchild (onsemi)FDC655AN_NL MOSFairchild (onsemi)FDC655AN-NL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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