FDB8160の技術仕様
onsemi - FDB8160技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDB8160仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.8mOhm @ 80A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 254W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11825 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 243 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDB816 |
右側の三つのパーツはonsemi FDB8160と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDB8160 | FDB8132_F085 | FDB8030L | FDB8444 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 254W (Tc) | 341W (Tc) | 187W (Tc) | 167W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 40 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 243 nC @ 10 V | 350 nC @ 13 V | 170 nC @ 5 V | 128 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11825 pF @ 15 V | 14100 pF @ 15 V | 10500 pF @ 15 V | 8035 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | FDB816 | FDB813 | FDB803 | FDB844 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 80A (Ta) | 70A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.8mOhm @ 80A, 10V | 1.6mOhm @ 80A, 10V | 3.5mOhm @ 80A, 10V | 5.5mOhm @ 70A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | PowerTrench® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
FDB8160 - onsemiのFDB8160 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDB8132_F085onsemiMOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FDB7045L MOSFairchild (onsemi)FDB7030BLS MOSFairchild (onsemi)FDB8030LonsemiMOSFET N-CH 30V 80A TO263ABFDB8444onsemiMOSFET N-CH 40V 70A TO263ABFDB7045LFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDB8442onsemiMOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263ABFDB7030LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 80A TO263ABFDB8030LFairchild Semiconductor80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,FDB8441onsemiMOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263ABFDB8443Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263ABFDB7042LFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDB8441-F085onsemiMOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263ABFDB7030L MOSFairchild (onsemi)FDB8443onsemiMOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263ABFDB8442Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263ABFDB7030LonsemiMOSFET N-CH 30V 80A TO263ABFDB8160Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 80A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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