FDB3502の技術仕様
onsemi - FDB3502技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDB3502仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 47mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 41W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 815 pF @ 40 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 75 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta), 14A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDB350 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FDB3502と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDB3502 | FDB33N25TM | FDB3632 | FDB28N30TM |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 815 pF @ 40 V | 2135 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V | 2250 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 47mOhm @ 6A, 10V | 94mOhm @ 16.5A, 10V | 9mOhm @ 80A, 10V | 129mOhm @ 14A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | PowerTrench® | UniFET™ | PowerTrench® | UniFET™ |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | FDB350 | - | - | FDB28N30 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 41W (Tc) | 235W (Tc) | 310W (Tc) | 250W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 6V, 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 75 V | 250 V | 100 V | 300 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta), 14A (Tc) | 33A (Tc) | 12A (Ta), 80A (Tc) | 28A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FDB3502 - onsemiのFDB3502 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDB33N25TMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDB3632_NLFairchild (onsemi)FDB28N30TM MOSFairchild (onsemi)FDB3632_F085Fairchild (onsemi)FDB33N25TM MOSFairchild (onsemi)FDB3632Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDB33N25AMI Semiconductor/onsemiFDB28N30Fairchild (onsemi)FDB28N30TMonsemiMOSFET N-CH 300V 28A D2PAKFDB33N25TMonsemiMOSFET N-CH 250V 33A D2PAKFDB3652 MOSFairchild (onsemi)FDB3652_F085Fairchild (onsemi)FDB3632onsemiMOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKFDB28N30TMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDB3632 MOSFairchild (onsemi)FDB3502Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FDB34N20LFairchild (onsemi)FDB3652onsemiMOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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