FDB120N10の技術仕様
onsemi - FDB120N10技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDB120N10仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 74A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 170W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5605 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 74A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDB120 |
右側の三つのパーツはonsemi FDB120N10と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDB120N10 | FDB10AN06A0 | FDB088N08 | FDB110N15A |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V | 118 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5605 pF @ 25 V | 1840 pF @ 25 V | 6595 pF @ 25 V | 4510 pF @ 75 V |
| 電力消費（最大） | 170W (Tc) | 135W (Tc) | 160W (Tc) | 234W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 6V, 10V | 10V | 10V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 74A (Tc) | 12A (Ta), 75A (Tc) | 120A (Tc) | 92A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 75 V | 150 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | FDB120 | FDB10 | FDB088 | FDB110 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 74A, 10V | 10.5mOhm @ 75A, 10V | 8.8mOhm @ 75A, 10V | 11mOhm @ 92A, 10V |
FDB120N10 - onsemiのFDB120N10 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDB12N50FTMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKFDB10AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
FDB120N10 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDB10AN06AOFairchild (onsemi)FDB12N50FFairchild (onsemi)FDB12N50TFairchild (onsemi)FDB088N08onsemiMOSFET N-CH 75V 120A D2PAKFDB110N15AonsemiMOSFET N-CH 150V 92A D2PAKFDB12N50TM MOSFairchild (onsemi)FDB12P20Fairchild (onsemi)FDB12N50TMonsemiMOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
FDB0901-M0DB300K6KATXGAFDB110N15AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FDB08N150Fairchild (onsemi)FDB088N08Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDB120N10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FDB12N50TMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDB12N50Fairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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