FDB016N04AL7の技術仕様
onsemi - FDB016N04AL7技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDB016N04AL7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.6mOhm @ 80A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 283W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 167 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 160A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDB016 |
右側の三つのパーツはonsemi FDB016N04AL7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDB016N04AL7 | FDB029N06 | FDB024N06 | FDB024N06 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 167 nC @ 10 V | 151 nC @ 10 V | 226 nC @ 10 V | 226 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11600 pF @ 25 V | 9815 pF @ 25 V | 14885 pF @ 25 V | 14885 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 160A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 基本製品番号 | FDB016 | FDB029 | - | FDB024 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| 電力消費（最大） | 283W (Tc) | 231W (Tc) | 395W (Tc) | 395W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.6mOhm @ 80A, 10V | 3.1mOhm @ 75A, 10V | 2.4mOhm @ 75A, 10V | 2.4mOhm @ 75A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
FDB016N04AL7 - onsemiのFDB016N04AL7 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDB029N06onsemiMOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFDB016N04AL7 MOSFairchild (onsemi)FDB024N04AL7 MOSFairchild (onsemi)FDB024N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDB024N06onsemiMOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFDB029N06Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFDB024N08BFairchild (onsemi)FDB024N04AL7onsemiMOSFET N-CH 40V 100A TO263-7FDB016N04AL7Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDB0190N807LonsemiMOSFET N-CH 80V 270A TO263-7FDB0170N607LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 300A TO263-7FDB0165N807LonsemiMOSFET N-CH 80V 310A TO263-7FDB0170N607LonsemiMOSFET N-CH 60V 300A TO263-7FDB0105N407LonsemiMOSFET N-CH 40V 460A TO263-7FDB024N04AL7Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 40V 100A TO263-7FDB024N06 MOSFairchild (onsemi)FDB024N08BL7onsemiMOSFET N-CH 80V 120A TO263-7FDB024N04AFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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