画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDA75N28 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDA75N28
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDA75N28
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 280V 75A TO3PN
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-3P-3, SC-65-3
- データシート
- FDA75N28.pdf
- 在庫あり: 4220
FDA75N28の技術仕様
onsemi - FDA75N28技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDA75N28仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | |
| シリーズ | UniFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 41mOhm @ 37.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 520W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6700 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 144 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 280 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDA75 |
右側の三つのパーツはonsemi FDA75N28と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDA75N28 | FDAF59N30 | FDA70N20 | FDA8440 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | FDA75 | FDAF59 | FDA70 | FDA84 |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 41mOhm @ 37.5A, 10V | 56mOhm @ 17A, 10V | 35mOhm @ 35A, 10V | 2.1mOhm @ 80A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電力消費（最大） | 520W (Tc) | 161W (Tc) | 417W (Tc) | 306W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 280 V | 300 V | 200 V | 40 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| シリーズ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | PowerTrench® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 144 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | TO-3PF | TO-3PN | TO-3PN |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 34A (Tc) | 70A (Tc) | 30A (Ta), 100A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6700 pF @ 25 V | 4670 pF @ 25 V | 3970 pF @ 25 V | 24740 pF @ 25 V |
FDA75N28 - onsemiのFDA75N28 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDAE1040-R36MP3Murata ElectronicsFDAF59N30onsemiMOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
FDA59N30 MOSFairchild (onsemi)FDA70N20onsemiMOSFET N-CH 200V 70A TO3PNFDA8440onsemiMOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PNFDAF59N30Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 300V 34A TO3PFFDA62N28Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 280V 62A TO3PNFDA70N20 CMH82N25 MOSFairchild (onsemi)FDA69N25onsemiMOSFET N-CH 250V 69A TO3PNFDA62N28onsemiMOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
FDA802-VYTSTMicroelectronics2X150 W - 1X300 W CLASS-D DIGITAFDA70N20 MOSFairchild (onsemi)FDA70N10Fairchild (onsemi)
FDA803D-EHTSTMicroelectronicsIC AMP D MONO 45W POWERSSO36FDAE1050-R33MP3Murata ElectronicsFDA801-VYTSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D QUAD 50W 64LQFP
FDA620010Diodes IncorporatedXTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMDFDA70N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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