FCP260N65S3の技術仕様
onsemi - FCP260N65S3技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FCP260N65S3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 1.2mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | SuperFET® III | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 260mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FCP260 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FCP260N65S3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FCP260N65S3 | FCP290N80 | FCP25N60N | FCP380N60 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | SuperFET® III | SuperFET® II | SupreMOS™ | SuperFET® II |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010 pF @ 400 V | 3205 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V | 1665 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 800 V | 600 V | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | 17A (Tc) | 25A (Tc) | 10.2A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | 212W (Tc) | 216W (Tc) | 106W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 1.2mA | 4.5V @ 1.7mA | 4V @ 250µA | 3.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | FCP260 | FCP290 | FCP25 | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 260mOhm @ 6A, 10V | 290mOhm @ 8.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 380mOhm @ 5A, 10V |
FCP260N65S3 - onsemiのFCP260N65S3 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FCP290N80onsemiMOSFET N-CH 800V 17A TO220-3FCP25N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 25A TO220-3FCP380N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP380N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
FCP36N60NonsemiPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPREMOFCP380N60onsemiMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3FCP22N60N MOSFairchild (onsemi)FCP380N60EFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
FCP22N60FAIRCHIFCP360N65S3R0onsemiMOSFET N-CH 650V 10A TO220-3FCP25N60NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V TO-220-3FCP36N60N MOSFairchild (onsemi)FCP22N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 22A TO220-3FCP22N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FCP2N80Fairchild (onsemi)FCP260N60EFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCP260N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
FCP2416H224J-D5Cornell Dubilier Electronics (CDE)CAP FILM 0.22UF 5% 50VDC 2416| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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