画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FCP170N60 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FCP170N60
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FCP170N60
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- データシート
- FCP170N60.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 12374
FCP170N60の技術仕様
onsemi - FCP170N60技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FCP170N60仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | SuperFET® II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 170mOhm @ 11A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 227W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2860 pF @ 380 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FCP170 |
右側の三つのパーツはonsemi FCP170N60と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FCP170N60 | FCP190N65S3 | FCP16N60 | FCP16N60 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 電力消費（最大） | 227W (Tc) | 144W (Tc) | 167W (Tc) | 167W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc) | 17A (Tc) | 16A (Tc) | 16A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2860 pF @ 380 V | 1350 pF @ 400 V | 2250 pF @ 25 V | 2250 pF @ 25 V |
| シリーズ | SuperFET® II | SuperFET® III | SuperFET™ | SuperFET™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 55 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | FCP170 | FCP190 | - | FCP16 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 170mOhm @ 11A, 10V | 190mOhm @ 8.5A, 10V | 260mOhm @ 8A, 10V | 260mOhm @ 8A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 650 V | 600 V | 600 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 250µA | 4.5V @ 1.7mA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
FCP170N60 - onsemiのFCP170N60 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FCP190N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 17A TO220-3FCP16N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP16N60onsemiMOSFET N-CH 600V 16A TO220-3FCP165N65S3R0Fairchild SemiconductorFCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-FCP190N60-GF102Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3FCP165N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 23A TO220FCP150N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 24A TO220-3FCP190N65FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FCP190N60EonsemiPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEFCP165N65S3R0onsemiMOSFET N-CH 650V 19A TO220-3FCP170N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 22A TO220-3FCP190N60-GF102onsemiMOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3FCP190N60 MOSFairchild (onsemi)FCP16N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP150N65FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCP16N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 16A TO220-3FCP190N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3FCP190N60onsemiMOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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