FCI25N60N-F102の技術仕様
onsemi - FCI25N60N-F102技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FCI25N60N-F102仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | |
| シリーズ | SupreMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 12.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 216W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3352 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 74 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FCI25N60 |
右側の三つのパーツはonsemi FCI25N60N-F102と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FCI25N60N-F102 | FCI25N60N | FCI25N60N | FCI25N60N-F102 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | FCI25N60 | FCI25 | FCI25 | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| シリーズ | SupreMOS™ | SupreMOS™ | SupreMOS™ | SupreMOS™ |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 216W (Tc) | 216W (Tc) | 216W (Tc) | 216W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3352 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
FCI25N60N-F102 - onsemiのFCI25N60N-F102 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FCI25N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 25A I2PAKFCI2012F-82NKTAI-TECHFCI3216-100KTAI-TECHFCI25N60NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 25A I2PAKFCI2012F-R68KTAI-TECHFCI2012F-R82KTAI-TECHFCI3216-1R0KFCI3216-2R2KFCI3216-100KTTAIFCI2012F-R12KTAI-TECHFCI2012F-R47KTAI-TECHFCI2012F-R56KTAI-TECHFCI3216-220KBULLFCI25N60N-F102Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 25A I2PAKFCI3216-1R0K05FCI3216-1R8KTAI-TECHFCI2012F-R39KFCI2012F-R22KTAI-TECH| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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