ECH8660-TL-Hの技術仕様
onsemi - ECH8660-TL-H技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - ECH8660-TL-H仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-ECH | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 59mOhm @ 2A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.5W | |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 240pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.4nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | ECH8660 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi ECH8660-TL-Hと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ECH8660-TL-H | ECH8659-M-TL-H | ECH8661-TL-H | ECH8667-TL-H |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.4nC @ 10V | 11.8nC @ 10V | 11.8nC @ 10V | 13nC @ 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-ECH | 8-ECH | 8-ECH | 8-ECH |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 4V Drive | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 59mOhm @ 2A, 10V | 24mOhm @ 3.5A, 10V | 24mOhm @ 3.5A, 10V | 39mOhm @ 2.5A, 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A | 7A | 7A, 5.5A | 5.5A |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 240pF @ 10V | 710pF @ 10V | 710pF @ 10V | 600pF @ 10V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | ECH8660 | ECH8659 | ECH8661 | ECH8667 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力 - 最大 | 1.5W | 1.5W | 1.5W | 1.5W |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
ECH8660-TL-H - onsemiのECH8660-TL-H PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
ECH8659-M-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
ECH8655RR-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8656-TL-HonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORECH8666-P-TL-HAMI Semiconductor/onsemiECH8661-TL-HonsemiMOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8ECH8667-TL-HonsemiMOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECHECH8663R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECHECH8660-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8672 MOSAMI Semiconductor/onsemiECH8668-TL-HonsemiMOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8ECH8664R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8ECH8655RRAMI Semiconductor/onsemiECH8663R-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8655R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 24V 9A 8ECHECH8657-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECHECH8655R-TL-H MOSAMI Semiconductor/onsemiECH8659-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8ECH8672AMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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