ATP108-TL-Hの技術仕様
onsemi - ATP108-TL-H技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - ATP108-TL-H仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ATPAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.4mOhm @ 35A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | ATPAK (2 Leads+Tab) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3850 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 79.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Ta) | |
| 基本製品番号 | ATP108 |
右側の三つのパーツはonsemi ATP108-TL-Hと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ATP108-TL-H | ATP112-TL-H | ATP102-TL-H | ATP201-TL-H |
| メーカー | onsemi | onsemi | Sanyo | onsemi |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.4mOhm @ 35A, 10V | 43mOhm @ 13A, 10V | 18.5mOhm @ 20A, 10V | 17mOhm @ 18A, 10V |
| 基本製品番号 | ATP108 | ATP112 | - | ATP201 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 79.5 nC @ 10 V | 33.5 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Ta) | 25A (Ta) | 40A (Ta) | 35A (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | ATPAK | ATPAK | ATPAK | ATPAK |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 60 V | 30 V | 30 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3850 pF @ 20 V | 1450 pF @ 20 V | 1490 pF @ 10 V | 985 pF @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 30W (Tc) |
ATP108-TL-H - onsemiのATP108-TL-H PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
ATP113AMI Semiconductor/onsemiATP112-TL-HonsemiMOSFET P-CH 60V 25A ATPAKATP102-TL-HSanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET GENERALATP201AMI Semiconductor/onsemiATP201-TL-HonsemiMOSFET N-CH 30V 35A ATPAKATP113-TL-H MOSAMI Semiconductor/onsemiATP102AMI Semiconductor/onsemiATP106AMI Semiconductor/onsemiATP104AMI Semiconductor/onsemiATP107AMI Semiconductor/onsemiATP201-V-TL-HSanyoN-CHANNEL MOSFETATP103AMI Semiconductor/onsemiATP104-TL-HSanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET GENERALATP101-V-TL-HonsemiMOSFET P-CH 30V 25A ATPAKATP106-TL-HonsemiMOSFET P-CH 40V 30A ATPAKATP104-TL-HXonsemiMOSFET P-CH 30V 75A ATPAKATP202-TL-HonsemiMOSFET N-CH 30V 50A ATPAKATP201-TL-H-TAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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