ADP3120AJCPZ-RLの技術仕様
onsemi - ADP3120AJCPZ-RL技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - ADP3120AJCPZ-RL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電源電圧 - | 4.6V ~ 13.2V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (3x3) | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 20ns, 11ns | |
| パッケージ/ケース | 8-VFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -20°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2V | |
| 入力タイプ | Inverting, Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 35 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | - | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | |
| 基本製品番号 | ADP3120 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
右側の三つのパーツはonsemi ADP3120AJCPZ-RLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ADP3120AJCPZ-RL | ADP3118JRZ | ADP3118JRZ-RL | ADP3120AJRZ |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Analog Devices Inc. |
| 電源電圧 - | 4.6V ~ 13.2V | 4.15V ~ 13.2V | 4.15V ~ 13.2V | 4.6V ~ 13.2V |
| パッケージ/ケース | 8-VFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | ADP3120 | ADP3118 | ADP3118 | ADP3120 |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2V | 0.8V, 2V | 0.8V, 2V | 0.8V, 2V |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 入力タイプ | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Synchronous |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 運転温度 | -20°C ~ 150°C (TJ) | 0°C ~ 150°C (TJ) | 0°C ~ 150°C (TJ) | -20°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | - | - | - | - |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 35 V | 25 V | 25 V | 35 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (3x3) | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 20ns, 11ns | 25ns, 20ns | 25ns, 20ns | 20ns, 11ns |
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ADP3118JRZonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICADP3118JRZ-RLonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ADP3120AJRADI (Analog Devices, Inc.)ADP3120JRZADI (Analog Devices, Inc.)ADP3120AJRZAnalog Devices Inc.DUAL MOSFET DRIVER
ADP3120AJCPZAMI Semiconductor/onsemiADP3118JRZ-RLAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED 12 VOLT MOSFETADP3120AJRZonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ADP3118JCPZ-RLAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED 12 VOLT MOSFETADP3121JCPZAMI Semiconductor/onsemiADP3120AJRZ-RLonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICADP3120ACPZAMI Semiconductor/onsemiADP3120AJRZRLAMI Semiconductor/onsemiADP3120AADI (Analog Devices, Inc.)
ADP3118JCPZ-RLonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8LFCSPADP3120JRZ-RLADI (Analog Devices, Inc.)ADP3121JCPZ-RLonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8LFCSPADP3118JRZAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED 12 VOLT MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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