2SD1835Tの技術仕様
onsemi - 2SD1835T技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - 2SD1835T仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 400mV @ 50mA, 1A | |
トランジスタ型式 | NPN | |
サプライヤデバイスパッケージ | 3-NP | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 750 mW | |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | 150MHz | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 200 @ 100mA, 2V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 2 A | |
基本製品番号 | 2SD1835 |
右側の三つのパーツはonsemi 2SD1835Tと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 2SD1835T | 2SD1834T100 | 2SD1830 | 2SD1853 |
メーカー | onsemi | Rohm Semiconductor | onsemi | onsemi |
周波数 - トランジション | 150MHz | 150MHz | - | - |
電力 - 最大 | 750 mW | 2 W | - | - |
運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 200 @ 100mA, 2V | 2000 @ 500mA, 3V | - | - |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50 V | 60 V | - | - |
基本製品番号 | 2SD1835 | 2SD1834 | - | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 2 A | 1 A | - | - |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) | 1µA (ICBO) | - | - |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-243AA | - | - |
シリーズ | - | - | * | * |
パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | - | - |
トランジスタ型式 | NPN | NPN - Darlington | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | 3-NP | MPT3 | - | - |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 400mV @ 50mA, 1A | 1.5V @ 500µA, 500mA | - | - |
2SD1835T - onsemiの2SD1835T PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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