2SA1962RTUの技術仕様
onsemi - 2SA1962RTU技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - 2SA1962RTU仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 250 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 3V @ 800mA, 8A | |
トランジスタ型式 | PNP | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 130 W | |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | 30MHz | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 55 @ 1A, 5V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 5µA (ICBO) | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 17 A |
右側の三つのパーツはonsemi 2SA1962RTUと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 2SA1962RTU | 2SA1971(TE12L,F) | 2SA1962RTU | 2SA1955FV-A tpl3 |
メーカー | onsemi | Toshiba Semiconductor and Storage | Fairchild Semiconductor | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-243AA | TO-3P-3, SC-65-3 | - |
シリーズ | - | - | - | - |
パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | - |
電力 - 最大 | 130 W | 500 mW | 130 W | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 17 A | 500 mA | 17 A | - |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 250 V | 400 V | 250 V | - |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | PW-MINI | TO-3P | - |
周波数 - トランジション | 30MHz | 35MHz | 30MHz | - |
トランジスタ型式 | PNP | PNP | PNP | - |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 55 @ 1A, 5V | 140 @ 100mA, 5V | 55 @ 1A, 5V | - |
装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | - |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 3V @ 800mA, 8A | 1V @ 10mA, 100mA | 3V @ 800mA, 8A | - |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 5µA (ICBO) | 10µA (ICBO) | 5µA (ICBO) | - |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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