2N5961の技術仕様
onsemi - 2N5961技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - 2N5961仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 60 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 200mV @ 500µA, 10mA | |
トランジスタ型式 | NPN | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 625 mW | |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | - | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 150 @ 10mA, 5V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 2nA (ICBO) | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100 mA | |
基本製品番号 | 2N5961 |
右側の三つのパーツはonsemi 2N5961と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 2N5961 | 2N5879 | 2N5884 | 2N5955 |
メーカー | onsemi | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 150 @ 10mA, 5V | - | 35 @ 3A, 4V | - |
電力 - 最大 | 625 mW | - | 200 W | 40 W |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | - |
パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
基本製品番号 | 2N5961 | 2N5879 | - | - |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 2nA (ICBO) | - | 2mA | - |
トランジスタ型式 | NPN | - | PNP | PNP |
周波数 - トランジション | - | - | 4MHz | - |
装着タイプ | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | TO-204AA, TO-3 | TO-213AA, TO-66-2 |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 60 V | - | 80 V | 60 V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | - | TO-3 | TO-66 (TO-213AA) |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 200mV @ 500µA, 10mA | - | 4V @ 6.25A, 25A | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100 mA | - | 25 A | 6 A |
シリーズ | - | * | - | - |
2N5961 - onsemiの2N5961 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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