2N5686Gの技術仕様
onsemi - 2N5686G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - 2N5686G仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 80 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 5V @ 10A, 50A | |
トランジスタ型式 | NPN | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-204 (TO-3) | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 300 W | |
パッケージ/ケース | TO-204AE |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Tray | |
運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | 2MHz | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 15 @ 25A, 2V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1mA | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 50 A | |
基本製品番号 | 2N5686 |
右側の三つのパーツはonsemi 2N5686Gと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | 2N5686G | 2N5783 | 2N5772 | 2N5686 |
メーカー | onsemi | Microchip Technology | onsemi | Solid State Inc. |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 80 V | - | 15 V | - |
シリーズ | - | * | - | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 50 A | - | 300 mA | - |
電力 - 最大 | 300 W | - | 350 mW | - |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 5V @ 10A, 50A | - | 500mV @ 3mA, 300mA | - |
トランジスタ型式 | NPN | - | NPN | NPN |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 15 @ 25A, 2V | - | 30 @ 30mA, 400mV | - |
パッケージ/ケース | TO-204AE | - | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-204AA, TO-3 |
運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
装着タイプ | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-204 (TO-3) | - | TO-92-3 | TO-3 |
パッケージ | Tray | Bulk | Bulk | Bulk |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1mA | - | 500nA | - |
周波数 - トランジション | 2MHz | - | - | - |
基本製品番号 | 2N5686 | 2N5783 | 2N5772 | - |
2N5686G - onsemiの2N5686G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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