2N5306の技術仕様
onsemi - 2N5306技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - 2N5306仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 25 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1.4V @ 200µA, 200mA | |
トランジスタ型式 | NPN - Darlington | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 625 mW | |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | - | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 7000 @ 2mA, 5V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 1.2 A | |
基本製品番号 | 2N5306 |
右側の三つのパーツはonsemi 2N5306と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | 2N5306 | 2N5320 | 2N5320 | 2N5320 |
メーカー | onsemi | Solid State Inc. | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
電力 - 最大 | 625 mW | 10 W | 10 W | 10 W |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 7000 @ 2mA, 5V | 30 @ 500mA, 4V | 30 @ 500mA, 4V | 30 @ 500mA, 4V |
パッケージ | Bulk | Box | Bulk | Bag |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | - |
シリーズ | - | - | - | - |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
周波数 - トランジション | - | - | - | - |
基本製品番号 | 2N5306 | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | TO-39 | TO-5AA | TO-39 |
トランジスタ型式 | NPN - Darlington | NPN | NPN | NPN |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) | 100µA | - | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 1.2 A | 2 A | 2 A | 2 A |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 25 V | 75 V | 75 V | 75 V |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1.4V @ 200µA, 200mA | 500mV @ 50mA, 500mA | - | 500mV @ 50mA, 500mA |
2N5306 - onsemiの2N5306 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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