1N5235Bの技術仕様
onsemi - 1N5235B技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - 1N5235B仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 6.8 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.2 V @ 200 mA | |
公差 | ±5% | |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 500 mW |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | |
パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -65°C ~ 200°C | |
装着タイプ | Through Hole | |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 5 Ohms | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 3 µA @ 5 V | |
基本製品番号 | 1N5235 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | Not Applicable |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi 1N5235Bと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 1N5235B | 1N5236B | 1N5235B | 1N5235B |
メーカー | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | SMC Diode Solutions | NTE Electronics, Inc |
公差 | ±5% | ±5% | ±5% | ±0.5% |
電力 - 最大 | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 3 µA @ 5 V | 3 µA @ 6 V | 3 µA @ 4.8 V | 3 µA @ 5 V |
運転温度 | -65°C ~ 200°C | 200°C (TJ) | 200°C | -65°C ~ 200°C |
基本製品番号 | 1N5235 | 1N5236 | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | DO-35 | DO-35 | - |
シリーズ | - | - | - | - |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 5 Ohms | 6 Ohms | 5 Ohms | 5 Ohms |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 6.8 V | 7.5 V | 6.8 V | 6.8 V |
パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Bag |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.2 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | - |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
1N5235B - onsemiの1N5235B PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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