台湾メディア：NANDフラッシュメモリスポット価格は8月に5％増加しました

情報筋によると、NANDフラッシュメモリウェーハのスポット価格は8月に大幅に増加しました。512GBのNANDフラッシュメモリウェーハの価格は、6月と7月の1.40ドルから1.41ドルの間で安定したままであり、センチメントの購入は遅いままでした。しかし、価格は7月末から8月上旬から上昇し始め、8月末までに1.50ドルから1.52ドルに達しました。

現在、NANDの在庫レベルは依然として高くなっていますが、選択的ストレージモジュールメーカーを通じて上流メーカーが実装する価格上昇の傾向はますます明らかになっています。これにより、徐々にスポット市場の価格が上昇します。ただし、契約市場はフォローアップせず、市場の需要が大幅に増加しておらず、ターミナル需要が弱いことを示しています。

Storage Module Factoryの情報源によると、Samsung Electronicsは生産削減を加速する際にリードを奪っており、業界の需要と供給の状況の改善が差し迫っていることを示しています。ただし、現在の市場需要には、短期的なインセンティブ効果が大きく欠けています。さらに、第3四半期後半から、チャネルレベルでの調達態度は鈍化しています。この状況は、在庫の枯渇に関する懸念を引き起こしました。

DRAMメモリに関しては、価格は引き続き最低レベルになります。以前は、DDR4の価格上昇は維持が困難であり、価格調整期間は今年末まで継続する可能性があります。

情報筋によると、8月のDRAMスポット価格の観点から、主流のDDR4製品価格は7月よりわずかに低下し続けました。8月には、8GB DDR4チップの価格は約3.6％減少しましたが、16GB DDR4チップの価格は2％近く減少しました。一方、4GB DDR3メモリ価格の低下は、7月の5％から8月の1.5％に大幅に縮小しました。

分析によると、NANDフラッシュメモリ価格はまだ現金コストレベルを下回っており、元のメーカーがDRAMよりもフラッシュメモリ価格の上昇を優先するようにしています。最初は悲観的な感情に支配されていましたが、NAND市場は予想外の価格上昇を経験しています。フラッシュメモリ条件の改善は、DRAM需要の成長に寄与する可能性があります。