BCP56 主にオーディオアプリケーション内で精度のために作成されたシリコンエピタキシャルNPNテクノロジーを使用した低周波電力アンプトランジスタのカテゴリを意味します。SOT -223パッケージに収容されており、中程度の電力表面設備を最適にサポートし、多様な構成での熱性能の向上とともに互換性を高めます。
最大80Vのコレクターエミッター電圧(VCEO)を維持できます。100Vのコレクターベース電圧(VCBO)に耐えます。5Vのベースエミッター電圧(VBEO)をサポートします。最大1aまでの電流を処理します。DCゲイン(HFE)は25〜250の範囲であり、さまざまな運用要件に合わせた効率的な増幅を提供するための適性を示しています。さらに、50 MHzに設定された典型的な電流ゲイン帯域幅製品(FT)は、中程度の周波数回路内で信頼できる機能を保証します。P型半導体に隣接する2つのN型半導体によって指定されたBCP56のアーキテクチャデザインは、固体電流増幅とスイッチング操作を促進します。これらの要素は、複雑な電子回路内の主要な役割を果たします。
特徴 |
説明 |
高電流 |
1.0 a |
パッケージタイプ |
SOT-223;波やリフローを使用してはんだ付けできます。形成
はんだ中に熱ストレスを吸収し、の可能性を排除する
ダイへのダメージ。 |
テープとリールの可用性 |
12 mmテープとリールで利用できます |
-7インチ/1000ユニットリールにBCP56T1Gを使用します |
|
-13インチ/4000ユニットリールにBCP56T3Gを使用します |
|
PNP補完 |
BCP53T1G |
自動車および特別なアプリケーション |
自動車用アプリケーション用のSおよびNSVプレフィックス
一意のサイトと制御の変更要件。AEC-Q101資格とPPAP
有能 |
環境コンプライアンス |
PBフリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、およびROHS準拠 |
on半導体のテーブル形式は次のとおりです BCP56T1G 仕様。
仕様 |
詳細 |
タイプ |
パラメーター |
ライフサイクルステータス |
アクティブ(最終更新:2日前) |
工場のリードタイム |
8週間 |
めっきに連絡してください |
錫 |
取り付けタイプ |
表面マウント |
パッケージ /ケース |
TO-261-4、TO-261AA |
表面マウント |
はい |
ピンの数 |
4 |
トランジスタ要素材料 |
シリコン |
コレクター - エミッタのブレークダウン電圧 |
80V |
要素の数 |
1 |
Hfe min |
40 |
動作温度 |
-65°C〜150°C TJ |
パッケージング |
カットテープ(CT) |
公開 |
2005年 |
JESD-609コード |
E3 |
pbfreeコード |
はい |
パーツステータス |
アクティブ |
水分感度レベル(MSL) |
1(無制限) |
終端の数 |
4 |
ECCNコード |
ear99 |
電圧 - 定格DC |
80V |
最大電力散逸 |
1.5W |
端子位置 |
デュアル |
端子形式 |
カモメの翼 |
現在の評価 |
1a |
頻度 |
130MHz |
ベースパーツ番号 |
BCP56 |
ピンカウント |
4 |
要素構成 |
シングル |
電力散逸 |
1.5W |
ケース接続 |
コレクタ |
トランジスタアプリケーション |
増幅器 |
帯域幅製品を獲得します |
130MHz |
極性/チャネルタイプ |
npn |
トランジスタタイプ |
npn |
コレクターエミッター電圧(VCEO) |
80V |
最大コレクター電流 |
1a |
DC Current Gain(HFE)(MIN) @ IC、VCE |
40 @ 150ma 2v |
現在 - コレクターカットオフ(最大) |
100na icbo |
vce飽和(MAX) @ IB、IC |
500mv @ 50ma、500ma |
遷移周波数 |
130MHz
|
最大故障電圧 |
80V |
コレクターベース電圧(VCBO) |
100V |
エミッターベース電圧(vebo) |
5V |
マックスジャンクション温度(TJ) |
150°C |
身長 |
1.75mm |
長さ |
6.5mm |
幅 |
3.5mm |
SVHCに到達します |
SVHCなし |
放射線硬化 |
いいえ |
ROHSステータス |
ROHS3準拠 |
鉛フリー |
鉛フリー |
部品番号 |
説明 |
メーカー |
BCP56E6327 |
小信号双極トランジスタ、1A I(c)、80V V(BR)CEO、
1要素、NPN、シリコン |
シーメンス |
BCP56 |
小信号双極トランジスタ、1A I(c)、80V V(BR)CEO、
1要素、NPN、シリコン |
シーメンス |
BCP56,135 |
トランジスタスモール信号トランジスタ、BIPの汎用
小さな信号 |
NXP半導体 |
BCP56E6433 |
小信号双極トランジスタ、1A I(c)、80V V(BR)CEO、
1要素、NPN、シリコン |
シーメンス |
BCP56トランジスタは、線形電圧調節因子の領域に顕著な位置を保持し、出力電圧を精度でアプアーに管理します。この役割は、敏感な電子成分を細心の電圧調節を通じて保護する必要がある状況で特に関連するものになります。サーキットでのBCP56の統合は、その滑らかで低ノイズの出力を強調しています。これは、その効率がスイッチングレギュレーターの背後にわずかに進む可能性があるにもかかわらず、安定した電源を提供することで評価されています。
ローサイドスイッチのドメインでは、BCP56は、荷重のスペクトル全体で効率的なオンオフ制御を提供することに優れています。この柔軟性は、低コストの高周波スイッチングを必要とするアプリケーションで顕著に現れます。回路の構成を簡素化し、モーターやランプなどのコンポーネントの汎用性のある管理を促進し、パフォーマンスの資格と費用対効果の調和を維持します。
バッテリー駆動のデバイスに関しては、BCP56は電力管理においてその能力を示しており、一貫したパフォーマンスを確保しながらバッテリー寿命を延ばすのに役立ちます。ポータブルガジェットとリモートセンサーは、効率的なエネルギー使用から大きな恩恵を受け、エネルギー使用を最適化しながら、さまざまな条件下で機能を維持するコンポーネントを優先する必要性を示しています。
BCP56は、さまざまな回路セクションにパワーを分配するための主要な、Adept Power Flow Regulationを担当する電力管理回路におけるその価値を主張しています。実用的な例は、複数のパワーレールの中で電力分布を動的に調整し、システムの効率を高め、エネルギーの浪費を減らすことにおけるBCP56の役割を示しています。
MOSFETドライバーとして、BCP56は、より実質的な電力MOSFETを制御することを支援します。これは、インバーターや電源などのアプリケーションの重い負荷を管理するための主要です。十分なゲートドライブの電力と最小限の遅延を備えたMOSFETの効果的なスイッチングをサポートし、高密度のパワーシナリオでインストゥルメンタルを証明します。
オーディオ増幅では、中程度の電力を効率的に処理するBCP56の能力により、スピーカーとオーディオ出力セグメントを駆動するための好ましい選択肢になります。その実装は、信号の忠実度を高め、歪みを削減し、精度と明確さが支配的なオーディオファイルグレードの機器で使用される優れた聴覚体験を確保するのに支配的です。
BCP56の適合性は、中程度のパワーサーフェスマウントアプリケーションにまで及び、そのコンパクト性はタイトスペース設計の資産です。この側面は、デザインの柔軟性と最新の電子機器の統合にほとんど有益になります。このエレクトロニクスでは、小さなフットプリント内でかなりのパワーを管理する機能が、ウェアラブルから洗練された通信ギアまで、次世代デバイスの開発に深刻です。
半導体では、NASDAQシンボルの下で取引がBCP56の生産者です。エネルギー効率に対する彼らの根深いコミットメントは、幅広い電力および信号管理ソリューションを通じて実行されます。同社は、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域に思慮深く配置されている製造、販売、設計施設を備えたグローバルプラットフォームで運営されています。この地理的レイアウトは、信頼できるサプライチェーンを強化するだけでなく、フィネスを使用してさまざまな市場需要への適応を可能にします。
施設の計算された分布は、単なるロジスティクスを超越し、グローバルな需要に対する応答性を高めます。主要地域で戦略的な場所を維持することにより、半導体については、地元の専門知識と洞察を活用し、革新を育みます。この広範な存在は、地元のニーズに合わせて製品の調整された適応、市場のリーチ、顧客満足度を強化することを保証します。
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11/14/2024で公開されています
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