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ポータブルデバイスのBSS138LT1G電源管理の調査

BSS138LT1Gは、低電圧を使用してデバイスの電力を管理するのに役立つ小さくて効率的なNチャンネル電源MOSFETです。多くの場合、コンピューター、プリンター、携帯電話などのデバイスで見つけることができます。低電圧レベルでの作業が特に優れているため、ポータブルおよびバッテリー駆動の電子機器に最適です。コンパクトなデザインにより、回路板に簡単に収まることができ、スペースがタイトな最新のデバイスに最適です。この記事では、その機能、アプリケーション、および技術的な詳細を説明し、このMOSFETがプロジェクトにどのように役立つかを理解するのに役立ちます。

カタログ

BSS138LT1Gの概要

BSS138LT1G は、低電圧に依存するデバイスの電力管理用に設計されたNチャンネル電源MOSFETです。多くの場合、コンピューター、プリンター、携帯電話やコードレス電話などのモバイルデバイスに見られるDC-to-DCコンバーターなどのアプリケーションで使用されます。このMOSFETを際立たせるのは、低電圧レベルで効率的に動作する能力であるため、ポータブルおよびバッテリー駆動のデバイスに最適です。Compact SOT-23 Surface-Mountパッケージを使用すると、回路板に簡単に収まることができます。これは、スペースが制約のあるデザインで役立ちます。これにより、電力効率とサイズが重要な最新の電子機器に適しています。

BSS138LT1Gピン構成

BSS138LT1G Pin Configuration

BSS138LT1G CAD設計

BSS138LT1Gシンボル

BSS138LT1G Symbol

BSS138LT1Gフットプリント

BSS138LT1G Footprint

BSS138LT1G 3Dモデル

BSS138LT1G 3D Model

BSS138LT1Gの主要な機能

低いしきい値電圧

BSS138LT1Gは、0.5V〜1.5Vの範囲の低いしきい値電圧で動作します。これは、低電力条件でオンにして効率的に機能することができることを意味し、動作に多くのエネルギーを必要としないデバイスに適しています。

コンパクトSOT-23表面マウントパッケージ

その小さなSOT-23表面マウントパッケージは、回路基板のスペースを節約するのに役立ちます。このコンパクトサイズは、スペースが制限されることが多い最新の電子デバイスを設計するときに役立ち、あまりにも多くのスペースを費やさずにすべてがきちんと収まるようにします。

自動車グレードの資格（AEC-Q101）

BSS138LT1GはAEC-Q101資格があり、自動車やその他の厳しいアプリケーションで信頼できる使用のために構築されています。スムーズな動作に長期的な耐久性が必要な厳しい環境を処理できます。

ROHSと環境に優しいコンプライアンス

BSS138LT1Gは、特定の危険物の使用を制限するROHS標準を満たしています。また、PBフリーでハロゲンフリーであるため、環境に優しい製造業の取り組みに合わせて、環境に優しい選択となっています。

BSS138LT1G仕様の概要

ON Semiconductor BSS138LT1Gに関連する技術仕様、属性、パラメーター、および同等の部分。

タイプ	パラメーター
ライフサイクルステータス	アクティブ（最終更新：3日前）
工場のリードタイム	14週間
めっきに連絡してください	錫
取り付けタイプ	表面マウント
パッケージ /ケース	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
表面マウント	はい
ピンの数	3
トランジスタ要素材料	シリコン
現在 - 連続排水（ID） @ 25℃	200ma ta
ドライブ電圧（最大rds on、min rds on）	5V
要素の数	1
電力散逸（最大）	225MW TA
遅延時間をオフにします	20 ns
動作温度	-55°C〜150°C TJ
パッケージング	カットテープ（CT）
公開	2005年
JESD-609コード	E3
pbfreeコード	はい
パーツステータス	アクティブ
水分感度レベル（MSL）	1（無制限）
終端の数	3
ECCNコード	ear99
抵抗	3.5オーム
電圧 - 定格DC	50V
端子位置	デュアル
端子形式	カモメの翼
ピークリフロー温度（CEL）	260°C
現在の評価	200mA
time @ peakリフロー温度（最大）	40代
ピンカウント	3
要素構成	シングル
動作モード	拡張モード
電力散逸	225MW
遅延時間をオンにします	20 ns
FETタイプ	nチャネル
トランジスタアプリケーション	切り替え
rds on（max） @ id、vgs	3.5Ω @ 200mA、5V
vgs（th）（max） @ id	1.5V @ 1MA
ハロゲンフリー	ハロゲンフリー
入力容量（CISS）（MAX） @ VDS	50pf @ 25V
VGS（最大）	±20V
連続排水電流（ID）	200mA
しきい値電圧	1.5V
ソース電圧（VGS）へのゲート	20V
Drany Current-Max（abs）（id）	0.2a
排水路から脱線電圧を排出します	50V
公称VG	1.5V
フィードバックキャップマックス（CRSS）	5pf
身長	1.01mm
長さ	3.04mm
幅	1.4mm
SVHCに到達します	SVHCなし
放射線硬化	いいえ
ROHSステータス	ROHS3準拠

BSS138LT1G同等の部品

部品番号	説明	メーカー
BSS138L9Z	220MA、50V、Nチャンネル、SI、小さな信号、MOSFET、TO-236AB	テキサスの楽器
BSS138-7-F	小信号フィールド効果トランジスタ、0.2a（ID）、50V、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物半導体FET、プラスチックパッケージ3	SPC Multicomp
UBSS138TA	小信号フィールド効果トランジスタ、0.2a（ID）、50V、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物半導体FET、SOT-23、3ピン	Zetex / Diodes Inc
BSS138T/R13	小信号フィールド効果トランジスタ、0.3a（ID）、50V、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物半導体FET、ROHS準導体パッケージ-3	Panjit半導体
BSS138NL6327	小信号フィールド効果トランジスタ、0.23A（ID）、60V、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物半導体FET、ROHSコンプライアント、プラスチックパッケージ3	Infineon Technologies AG
BSS138E6327	小信号フィールド効果トランジスタ、0.23A（ID）、50V、1要素、Nチャネル、シリコン、金属酸化物半導体FET、SOT-23、3ピン	Infineon Technologies AG
BSS138-TP	小信号フィールド効果トランジスタ、0.22a（ID）、50V、1要素、Nチャネル、シリコン、金属酸化物半導体FET	マイクロ商用コンポーネント
BSS138NH6433	小信号フィールド効果トランジスタ、0.23a（ID）、50V、1要素、Nチャネル、シリコン、金属酸化物半導体FET、緑、プラスチックパッケージ3	Infineon Technologies AG
BSS138NH6433	小信号フィールド効果トランジスタ、0.23A（ID）、50V、1要素、Nチャネル、シリコン、金属酸化物半導体FET、SOT-23、3ピン	Infineon Technologies AG
UBSS138	小信号フィールド効果トランジスタ、0.2a（ID）、50V、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物半導体FET、SOT-23、3ピン	ダイオードが組み込まれています

BSS138LT1G同等の部品

DC-DCコンバーター

このMOSFETは、DC-DCコンバーターでよく使用されており、コンピューターやモバイルエレクトロニクスなどのデバイスの電圧変化の管理に役立ちます。さまざまなコンポーネントに適切な電圧レベルが提供され、デバイスが効率的に実行されるようにします。

プリンター

BSS138LT1Gはプリンターで使用され、配電分布を管理し、エネルギー廃棄物と過熱を防ぎながら、コンポーネントが正しい量の電力を得るようにします。これにより、プリンターは時間の経過とともにスムーズに動作し続けることができます。

PCMCIAカード

PCMCIAカードでは、BSS138LT1Gは電力使用量を制御するのに役立ちます。これらのカードは、ラップトップやその他のデバイスに機能を追加するために使用され、このMOSFETは効率的な操作をサポートし、あまり多くのエネルギーを使用せずに効果的に機能するのに役立ちます。

バッテリー駆動のデバイス

BSS138LT1Gは、コンピューター、携帯電話、コードレス電話などのバッテリーを搭載したデバイスでしばしば見られます。消費電力の管理に役立ち、デバイスが効率的に実行され、バッテリー寿命が延長され、電荷間のより長い使用が可能になります。

BSS138LT1Gパッケージ情報

BSS138LT1Gパッケージのアウトライン

BSS138LT1G Package Outline

BSS138LT1G機械データ

薄暗い	ミリメートル（分）	ミリメートル（NOM）	ミリメートル（最大）	インチ（分）	インチ（nom）	インチ（最大）
a	0.89	1	1.11	0.035	0.039	0.044
A1	0.01	0.06	0.1	0	0.002	0.004
b	0.37	0.44	0.5	0.015	0.017	0.02
c	0.08	0.14	0.2	0.003	0.006	0.008
d	2.8	2.9	3.04	0.11	0.114	0.12
e	1.2	1.3	1.4	0.047	0.051	0.055
E1	2.9	3	3.1	0.114	0.118	0.122
l	1.78	1.9	2.04	0.07	0.075	0.08
L1	0.35	0.54	0.69	0.014	0.021	0.027
彼	2.1	2.4	2.64	0.083	0.094	0.104
t	0°	----	10°	0°	----	10°

BSS138LT1Gは、はんだ付けフットプリントを推奨しています

BSS138LT1G Recommended Soldering Footprint

メーカーについて：半導体について

Semiconductorは、企業がさまざまな業界でエネルギー使用を削減するのに役立つ製品を開発することで知られています。彼らは、自動車、通信、家電、LED照明などの分野で見つけることができる電力管理および信号ソリューションを提供します。Semiconductorは、これらの分野での特定の設計上の課題を解決するのに役立つ幅広い製品を提供することにより、エンジニアとデザイナーをサポートします。世界中の主要市場に存在することで、彼らは強力なサプライチェーンを維持し、信頼できる顧客サービスを提供しています。製造施設と設計センターは、省エネ技術の革新を引き続き促進しながら、世界中の顧客のニーズを満たすことができるように戦略的に配置されています。