1N5711 ダイオードは金属とシリコンを複雑にブレンドするため、顕著な高い分解電圧だけでなく、非常に迅速な切り替え機能も実現できます。UHF/VHFの検出およびインパルスタスクにおけるその効果的なアプリケーションは、その広大な動作範囲によるものです。DiodeのDO-35パッケージは、0.41Vの前方電圧とペアになった15mAの前方電流しきい値で信頼性を提供します。標準的なリード方法論との互換性により、スルーホールマウントプロセスに使用されやすく、その機能的な魅力に加え、エンジニアリングの満足感に貢献しています。
1N5711ダイオードには、突然の電圧サージに耐える能力を高める強化保護層が含まれています。この層は、突然の電圧スパイクによる損傷のリスクを減らし、ダイオードにより長い運用寿命を提供します。過剰な電圧保護が不十分なため、以前の電子断層からのこのような設計は、しばしば費用のかかるダウンタイムと修理をもたらしました。
1N5711を本当に区別するのは、その非常に低い活性化電圧です。この機能により、ダイオードは最小限の電圧で電流フローを開始し、エネルギー効率の高い回路設計に十分に貸し出します。エネルギーを節約することが多い現代の電子機器では、このプロパティは、電圧変換中の電力損失を最小限に抑えることにより、運用費用を削減し、バッテリー寿命を延ばすことに貢献します。
ダイオードの超高速ピコ秒レベルのスイッチング速度は、決定的な特性です。この迅速な切り替えにより、高周波アプリケーション、特にRFおよびマイクロ波回路に適した即時の遷移が可能になります。遅延を最小限に抑えることにより、電子デバイスの速度と性能が向上します。この機能は、半導体テクノロジーの継続的な改善の証であり、業界のよりアジャイルで応答性の高いコンポーネントへの進歩を反映しています。
タイプ |
パラメーター |
工場のリードタイム |
15週間 |
マウント |
穴を通して |
ピンの数 |
2 |
ダイオード要素材料 |
シリコン |
要素の数 |
1 |
パッケージング |
テープ&リール(TR) |
パーツステータス |
アクティブ |
終端の数 |
2 |
ECCNコード |
ear99 |
HTSコード |
8541.40.00.70 |
電圧 - 定格DC |
70V |
現在の評価 |
15ma |
ピンカウント |
2 |
めっきに連絡してください |
錫 |
パッケージ /ケース |
do-204ah、do-35、軸 |
重さ |
4.535924g |
分解電圧 / v |
70V |
動作温度 |
-65°C〜200°C TJ |
JESD-609コード |
E3 |
水分感度レベル(MSL) |
1(無制限) |
終了 |
軸 |
追加機能 |
高速スイッチング |
キャパシタンス |
2pf |
端子形式 |
ワイヤー |
ベースパーツ番号 |
1N57 |
極性 |
標準 |
ダイオードタイプ |
Schottky-シングル |
出力電流 |
15ma |
フォワード電流 |
15ma |
前方電圧 |
1V |
ピーク逆電流 |
200na |
容量 @ VR、f |
2PF @ 0V 1MHz |
外径 |
1.93 mm |
逆電圧(DC) |
70V |
身長 |
2mm |
幅 |
2mm |
放射線硬化 |
いいえ |
鉛フリー |
鉛フリー |
電力散逸 |
430MW |
ケース接続 |
隔離 |
最大逆漏れ電流 |
200na |
逆回復時間 |
100 ps |
最大繰り返し逆電圧(VRRM) |
70V |
逆電圧 |
70V |
マックスジャンクション温度(TJ) |
200°C |
直径 |
2mm |
長さ |
4.5mm |
SVHCに到達します |
SVHCなし
|
ROHSステータス |
ROHS3準拠 |
1N5711ダイオードは、主にその高速スイッチング機能と低静電容量により、UHF/VHF信号検出で使用されます。これらの機能は、より明確な通信への深い憧れを反映して、信号受信を改良および強化するのに役立ちます。信号の歪みを減らすことにより、ダイオードは通信システムでパフォーマンスを向上させ、長距離にわたる明確さが焦点として頻繁に現れる業界での共通の理解をエコーします。
パルスアプリケーションでは、幅広いダイナミックレンジの管理におけるダイオードの習熟度は、明確な資産として立っています。その迅速な対応と、変化する信号強度に対する適応性により、複雑な電子操作のスムーズな取り扱いが可能になります。アナログとデジタル回路の設計のフィールドから引き出されたレッスンは、ダイオードの多用途のユーティリティにスポットライトを当て、動的範囲管理を運用精度と安定性を達成するための経路として照らします。
1N5711ダイオードは、その設計の複雑な側面である電圧スパイクによる敏感なMOSデバイスを有能に保護します。迅速な回復時間は、過渡現象の急速なクランプを保証し、過電圧の脅威に対する信頼できる障壁を提供します。この特性は、保護対策の戦略的実装がほぼ正確な儀式になるパワーエレクトロニクスに関連しています。
ロジックレベルの低い回路での効率的な切り替えのダイオードの機能により、電力損失を抑え、回路効率を高めるために最適な選択肢となります。コンシューマーエレクトロニクスでは、消費電力を削減しながら、ポータブルデバイス設計の革新を引き起こしながら、完全性を維持する能力の恩恵を受けます。
1N5711ダイオードのさまざまなアプリケーションを調べることは、現代の電子機器におけるその役割を明らかにします。多様なアプリケーション内での複雑な課題のタックルが成功したことは、コンポーネントを選択して統合するための独自の要求を強調しています。この物語は、理論的概念と実際の実装との間の継続的な交換を意味し、電子工学の進歩を導きます。
一部 |
メーカー |
カテゴリ |
説明 |
jantx1n5711-1 |
マイクロセミ |
テレビダイオード |
Jantxシリーズ70V 33MAスルーホールショットキーダイオード-DO -35 |
jantxv1n5711-1 |
マイクロセミ |
ダイオード |
ダイオードSchottky 70V 0.033A 2Pin DO-35 |
NTE583 |
NTEエレクトロニクス |
Schottky Diodes |
Nte Electronics NTE583 RF SCHOTTKY DIODE、シングル、70V、
15mA、1V、2PF、DO-35 |
UF1001-T |
ダイオードが組み込まれています |
スルーホールDO-204AL、DO-41、Axial 1 V 50 V 50 ns no
シングルリードフリー |
|
1N4001G-T |
ダイオードが組み込まれています |
スルーホールDO-204AL、DO-41、Axial 1 V 50 V2μsいいえ
シングルリードフリー |
|
1N5400-T |
ダイオードが組み込まれています |
スルーホールDO -201AD、Axial 1 V 50 V-シングルリードなし
無料 |
Stmicroelectronicsは、最先端の半導体革新でそれ自体を区別し、今日の電子デバイスの進行を形作ります。この分析では、この企業がさまざまな業界での接続性と効率を高める方法に焦点を当て、技術分野のより広範な影響を明らかにしています。Stmicroelectronicsの広範な製品を考慮すると、重要な観察が生じます。イノベーションとアプリケーションの融合は、業界でのリーダーシップを強調しています。このバランスを維持することで、変革的なソリューションを提供する能力が向上し、他の生態系プレーヤーが一緒に調整して革新することを奨励します。この戦略的アプローチは、彼らに競争力を与えるだけでなく、共同の成長を育み、将来の技術環境へのシームレスな移行を促進します。
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1N5711はSchottkyダイオードで、低い前方電圧ドロップとSwiftスイッチング機能を提供するために注目に値します。このような機能により、高周波セットアップに適しており、RFおよびマイクロ波回路内の効率的な電力変換を促進します。エネルギー損失を最小限に抑えることにより、これらのダイオードはシステム機能を強化します。
スルーホールマウント用に最適化された1N5711は、産業環境で頻繁に必要な機械的な耐久性と信頼性を提供します。そのスルーホール設計により、優れた熱散逸が保証され、困難な状況でのデバイスの寿命の強化と安定した性能を促進します。
15MAの最大連続前方電流に耐える1N5711は、効率と速度が重要な低電力シナリオに優れています。この容量は、繊細な電子システムへの統合をサポートし、コンポーネントの損傷の可能性を減らします。
逆極性の下で最大70Vを管理できる1N5711は、回路障害の予防を支援し、電圧サージに対する回復力を提供します。この機能は、予測不可能な電圧スパイクの中でシステムの整合性を維持するのに適しています。
1N5711の410mVの前方電圧低下は、電圧損失の減少が優れた電力管理につながるため、効果的な電力処理を可能にします。この属性は、エネルギー節約が必要な正確な電子アプリケーションで有利であり、回路の性能が向上します。
11/4/2024で公開されています
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